| ライブラリ名 | 概要 |
| 001 温度制御＿習作J3 |
温度制御へのアプローチ |
| 001 温度制御＿習作J4 |
温度制御へのアプローチ |
| BRR |
BRR計算 |
| BatteryWearLevel |
PCでBatteryReport等を使用した際の、消耗している％や、FullCharge時の分かりやすい容量を計算します。 |
| Cut Off Frequency RC Filter |
Calculating cut off frequency of 1st order R-C Filter |
| FETのゲート抵抗 |
ゲートへの印可電圧、ON時間、ゲート入力電荷量からゲート抵抗の適正値を算出 |
| H8のSCIで誤差0%にするためのクロックを求める |
H8 SCIで誤差が0%になるときのクロック周波数を求めます。
CPUクロックを決定するときの参考になるかと思います。
n=0の時の計算です。 |
| H8のSCIのBRRからボーレートを求める |
H8 SCIのBRRレジスタの値からボーレートを求めます。
n=0の時の計算です。 |
| H8のSCIのBRR計算 |
n=0のときの計算です。
SHなんかでも使えます。 |
| LC共振の周波数 |
インダクタンスL、キャパシタンスCの共振周波数を計算します。 |
| L、Cのリアクタンス |
ある周波数でのインダクタンスL、キャパシタンスCのリアクタンスをそれぞれ計算します。 |
| NTCサーミスタのB定数の算出 |
サーミスタのB定数をB=ln(Rb/Ra)/(1/(273.15+Tb)-1/(273.15+Ta))で計算します。 |
| NTCサーミスタの温度特性（B定数による計算） |
NTCサーミスタの温度特性を
R = R0 * exp (B * (1/T - 1/T0))
によって計算します。 |
| RC回路の時定数 |
RC回路による時定数を計算します。 |
| RTC(32.768kHz)精度から時刻誤差を計算 |
リアルタイムクロック(32.768kHz)精度を入力して、時刻誤差を算出します。 |
| Resonance Frequency LC Filter |
Calculating resonance frequency of 2nd order L-C Filter |
| T型回路⇔π型回路の相互変換 |
T型回路とπ型回路のインピーダンス３つを相互に変換します。インピーダンスは複素数も使えます。デフォルトで入っているのは20㏈のアッテネータです。 |
| T型回路の2ポートSパラメータ計算 |
T型回路のSパラメータを計算します。インピーダンスのところは角周波数wを使った関数を入力してください。
例はバンドパスフィルタを入れています。㏈表示、位相表示が選べます。 |
| VSWRからリターンロスに変換する。 |
電圧定在波比（VSWR）から反射損失（リターンロス）に変換する。 |
| [伝送量-反射量-VSWR]表 |
伝送量(量,dB,|係数|),反射量(量,dB,|係数|),VSWR 表 |
| [電回_無極基準LPﾌｨﾙﾀ]段数比較ｸﾞﾗﾌ |
3-12段のf特(ﾘﾆｱ・dB)･反射(ﾘﾆｱ・dB)･位相･群遅延 |
| [電回_無極基準LPﾌｨﾙﾀ]特性ｸﾞﾗﾌ |
指定段のf特(ﾘﾆｱ･dB)･反射(ﾘﾆｱ･dB)･位相･群遅延 |
| f特ｸﾞﾗﾌ[MHz]←ap,n,fp _平坦HPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| f特ｸﾞﾗﾌ[MHz]←ap,n,fp _平坦LPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| f特ｸﾞﾗﾌ[MHz]←素子値_HPF(T端) |
|
| f特ｸﾞﾗﾌ[MHz]←素子値_HPF(π端) |
|
| f特ｸﾞﾗﾌ[MHz]←素子値_LPF(T端) |
|
| f特ｸﾞﾗﾌ[MHz]←素子値_LPF(π端) |
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| ﾄﾗｲｱｯｸ制御波形の電圧(ｸﾞﾗﾌ) |
掲示板「トライアック…実効値」用（抵抗負荷時） |
| ＬＥＤの直列抵抗から電流値を計算 |
ＬＥＤの直列抵抗から電流値を計算 |
| アンペアとボルトからワット計算 |
電流と電圧でワットを出します |
| インピーダンスを反射係数に変換（2種の定義） |
負荷インピーダンスと特性インピーダンスから反射係数を求めます。反射係数（Sパラメータ）には2つの定義、Power wavesとTraveling waves(Pseudo waves)があり、両方に対応しています。特性インピーダンスが実数なら両者は同じです。特性インピーダンスに虚部があると両者が異なるので注意。 |
| サーミスタのSteinhart-Hartパラメータ算出 |
サーミスタの温度特性をSteinhart-Hart式 1/T = a + b*ln(R) + c*ln(R)^3
に基づいて、三点の温度・抵抗を入力するとa,b,cパラメータを算出します。 |
| サーミスタの温度特性グラフ(Steinhart-Hart) |
サーミスタの温度係数を 1/T = a + b*ln(R) + c*ln(R)^3 で計算します。
（Steinhart-Hart式） |
| ストリップラインのSパラメータ（ロス込み） |
ストリップラインの特性インピーダンスを計算したのち、導体損失(Morganモデルによる粗さ込み）と誘電体損失を計算し、特性インピーダンスの虚数部分も考慮してSパラメータに直しています。複素特性インピーダンスならTDRでインピーダンスが見かけ上がる現象も再現できます |
| ストリップラインの特性インピーダンス |
ストリップラインの特性インピーダンスを計算します。
（参考文献）"Microwave Solid State Circuit Design 2nd ed.", Bahl and Bhartia, Wiley |
| ソレノイドコイルのインダクタンス |
ソレノイドコイルのインダクタンスを求めます。 |
| ソレノイドコイル磁心の見かけの比透磁率 |
論文「円柱状磁心の…（中略）解析的な表現式」（関連リンク参照）に則り、ソレノイドコイル磁心の
見かけの比透磁率をパーミアンス法で求め、グラフで検証します。 |
| トロイダルコイルのインダクタンス |
トロイダルコイルのインダクタンスを求めます。 |
| ヒートシンクの選定（空冷ファン無し） |
IC等をヒートシンクを載せて冷却する際に、ヒートシンクに求められる熱抵抗を計算。 |
| マイクロストリップパッチアンテナの設計（効率・アンテナ利得） |
矩形マイクロストリップアンテナの設計を行います。基板の比誘電率、厚み、周波数を入力するとパッチの幅、長さ、入力インピーダンス、指向性、アンテナ効率、アンテナ利得（アンテナゲイン）を計算します。 |
| マイクロストリップラインのSパラメータ（ロス込み） |
HammerstadとJensenモデルでマイクロストリップラインの特性インピーダンスを計算したのち、導体損失(Morganモデルによる粗さ込み）と誘電体損失を計算し、特性インピーダンスの虚数部分も考慮してSパラメータに直しています。複素特性インピーダンスならTDRでインピーダンスが見かけ上がる現象も再現できます。 |
| マイクロストリップラインの特性インピーダンス |
マイクロストリップラインの特性インピーダンスを計算します。
（参考文献）"Microwave Solid State Circuit Design 2nd ed.", Bahl and Bhartia, Wiley |
| リターンロスからVSWRに変換する。 |
反射損失（リターンロス）から電圧定在波比VSWRに変換する。 |
| リフロー後の半田ボール高さをボール半径とランド半径から求める |
リフローして溶融した後のはんだボールの高さ[H]を求めます。
必要な情報
・材料メーカーから購入したはんだボールの半径[R]
・ボールを搭載するランド（はんだボールが載る円型部分）の半径[r]
球の体積および、球の一部が欠損している形状の体積は、すでに公式として知られています。
この二つの公式を解いて、あるはんだボールをプリント基板や半導体パッケージのランドでリフローした時の高さを計算します。
解はr=0が特異点で、その場合のRは初期値のままです。 |
| ループアンテナの巻き数Ｔを求める |
ループアンテナの巻き数を求めます。
minf＝受信する最低周波数（単位kHz）、VCmax＝バリコンの最大容量（単位PF）、msq＝ループアンテナの大きさ（単位平方メートル）で入れることでアンテナの巻き数を計算出来ます。
答えは巻き数（ターン）で出てきます。
ただしスパイダーコイルや巻き径が放射線状に変わるコイルは計算出来ません。 |
| レーダ最大検知距離（レーダ方程式より） |
レーダ方程式 Pr＝Pt*G^2*λ^2*σ/[(4π)^3*R^4]を用いて、レーダ最大検知距離を計算します。 |
| レギュレータの最大出力電流(ジャンクション温度、熱抵抗から) |
ジャンクション温度、熱抵抗からレギュレータが出力できる電流値を計算 |
| レギュレータの最大出力電流（許容損失） |
許容損失からレギュレータの最大出力電流を計算 |
| ワイブル分布のパラメータ推定 |
部品などの寿命の解析に使われるワイブル分布 f(t)=(m/η)*(t/η)^m *exp[-(t/η)^m]のパラメータm,ηおよび平均寿命μを算出します。ワイブルプロットと同じ方式で計算しています。不信頼度の計算はメジアンランクを使用しています。データ個数は20個まで。 |
| π型回路の2ポートSパラメータ計算 |
π型回路のSパラメータを計算します。インピーダンスのところは角周波数wを使った関数を入力してください。
例はバンドパスフィルタを入れています。㏈表示、位相表示が選べます。 |
| 円柱導体の高周波インピーダンス（表皮効果含む）の計算 |
円柱導体の高周波のインピーダンスを計算します。 |
| 温湿度加速モデル(Hallberg-Peck model) |
温度と湿度を高温・高湿にして加速試験を行う際、相対湿度を用いたモデルであるHallberg-Peckモデルを計算します。 |
| 可変抵抗(E12系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを探索します。 |
| 可変抵抗(E192およびE24系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを計算します。 |
| 可変抵抗(E192系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを探索します。 |
| 可変抵抗(E24系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを探索します。 |
| 可変抵抗(E48系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを探索します。 |
| 可変抵抗(E96およびE24系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを探索します。 |
| 可変抵抗(E96系列) |
最小値(Rmin)及び最大値(Rmax)とRvを与えて、Ra及びRbを探索します。 |
| 回路定数_波状･平坦_基準化LPF |
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| 回路定数_平坦_基準化LPF |
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| 感電の危険性（人体電流と通電時間による症状） |
低電圧でも人体に電流が流れると危険です。特に流れる電流値（人体電流）と何秒間流れるか（通電時間）で危険度が変わります。直流より交流の方が危険であり、IEC60479-1に記載されている分類を計算します(15-100kHz) |
| 近似直列抵抗(E24系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の直列抵抗の値をE24系列から探索します。 |
| 近似並列抵抗(E192系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の並列抵抗の値をE192系列から探索します。 |
| 近似並列抵抗(E192系列およびE24系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の並列抵抗の値をE192系列およびE24系列から探索します。 |
| 近似並列抵抗(E24系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の並列抵抗の値をE24系列から探索します。 |
| 近似並列抵抗(E48系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の並列抵抗の値をE48系列から探索します。 |
| 近似並列抵抗(E96系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の並列抵抗の値をE96系列から探索します。 |
| 近似並列抵抗(E96系列およびE24系列) |
与えられた抵抗値に近い、2本の並列抵抗の値をE96系列およびE24系列から探索します。 |
| 雑音指数(NF)[dB] ⇔ 雑音温度(Te)[K] |
雑音指数[dB] と 雑音温度[K] を変換します。 |
| 四端子定数から影像パラメータを計算する |
F-マトリクスから影像インピーダンスZ01、Z02と伝達定数θを求める。 |
| 周波数、リアクタンスからL値、C値 |
周波数、リアクタンスの絶対値に対応するインダクタンスL、キャパシタンスCをそれぞれ計算します。 |
| 水晶振動子の等価回路計算 |
水晶振動子の等価回路からインピーダンスの大きさ（Log単位）と位相（度単位）を計算します。
入力するのは
直列容量C1
直列インダクタンスL1
直列抵抗R1
並列容量C0
負荷容量Cs
と周波数範囲と単位です。 |
| 静電容量の逆算 |
静電容量・電流・時間・電圧の穴埋め計算をします |
| 積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加速試験による寿命予測 |
積層セラミックコンデンサ（MLCC)の市場での寿命予測に使われる経験式です。
Ln：通常の使用条件での寿命（時間）
La：加速条件での寿命（時間）
Vn：通常の使用電圧（V）
Va：加速条件での電圧（V）
Tn：通常の使用温度（℃）
Ta：加速条件での温度（℃）
n：電圧加速係数
θ: 温度加速係数 |
| 素子値_波状･平坦_基準化LPF |
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| 素子値_平坦_基準化LPF |
|
| 素子値←fp,ap,n_波状HPF |
Zin=Zout=R,実周波数 |
| 素子値←fp,ap,n_波状LPF |
Zin=Zout=R,実周波数 |
| 素子値←fp,ap,n_平坦HPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| 素子値←fp,ap,n_平坦LPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| 対数減衰器(定入力インピーダンス) |
与えられた仕様を満たす対数減衰器を計算します。 |
| 段数_波状・平坦_基準化LPF |
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| 段数_平坦_基準化LPF |
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| 段数←fp,fa,ap,aa_平坦HPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| 段数←fp,fa,ap,aa_平坦LPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| 段数←fp,fc,ap,aa_平坦BPF |
ﾜｰｸﾞﾅｰ |
| 長岡係数の計算(R=コイル半径, L=コイル長さ) |
|
| 抵抗に流す電流から抵抗が消費する電力を計算 |
抵抗に流す電流から抵抗が消費する電力を計算 |
| 抵抗のY-Δ変換 |
y-Δ変換 |
| 抵抗のΔ-Y変換 |
A= (a*c)/(a+b+c);
B= (a*b)/(a+b+c);
C= (b*c)/(a+b+c); |
| 抵抗の色 |
抵抗のカラーバーを計算します |
| 抵抗の分圧計算（抵抗値と出力電圧から入力電圧を計算する） |
出力電圧とR1、R2の抵抗値を指定することで入力電圧を計算します。 |
| 抵抗の分圧計算（抵抗値と入力電圧から出力電圧を計算する） |
入力電圧とR1、R2の抵抗値を指定することで出力電圧を計算します。
ご要望によりR1側電圧の計算にも対応いたしました。
ご要望により、mΩ/Ω/kΩ/MΩ等の選択に対応いたしました。 |
| 抵抗器のコンダクタンス |
極板の面積と極版間の距離と導電率から抵抗器のコンダクタンスを求めます |
| 抵抗比(E12系列) |
E12系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 抵抗比(E192系列) |
E192系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 抵抗比(E192系列およびE24系列) |
E192系列およびE24系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 抵抗比(E24系列) |
E24系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 抵抗比(E48系列) |
E48系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 抵抗比(E96系列) |
E96系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 抵抗比(E96系列およびE24系列) |
E96系列およびE24系列から、与えられた抵抗比(∈(1, 10))に近い組み合わせを探索します。 |
| 伝送線路のついた負荷の入力インピーダンス |
負荷インピーダンスZL（ωの関数で入力）に対し、特性インピーダンスZo, 長さL、有効比誘電率εeff, 減衰定数αの伝送線路がついたとき、どういう入力インピーダンスになるかを計算します。 |
| 電圧増幅率Gの計算式 |
VinとVoutより電圧増幅率Gを求める計算式です |
| 電解コンデンサーの推定寿命 |
電解コンデンサーの推定寿命時間の計算式です。
コンデンサーメーカーによって式の定義が異なりますが、一応、某大手電解コンデンサーの資料から抜粋させて頂きました。 |
| 電気二重層コンデンサを公称電池容量に換算 |
電気二重層コンデンサを公称電池容量に換算 |
| 電子レンジワット数と加熱時間 |
soo_レンジ用調理時間変換(概算) の改変版 |
| 電池、小型バッテリ[mAh]持ち時間計算 |
電池、小型バッテリ[mAh]持ち時間計算 |
| 電池の内部抵抗 |
電池の内部抵抗を求めます。 |
| 電流密度と導電率から電場強度を計算します |
電流密度と導電率から電場強度を計算する |
| 電力の単位を換算します。 dBm⇔mW |
電力換算 （dBm⇔mW） |
| 動作伝送係数_波状･平坦_基準化LPF |
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| 動作伝送係数_平坦_基準化LPF |
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| 導体の表面粗さによる電気伝導率モデル3種 |
導体は表面粗さで高周波の電気伝導率（抵抗率）が変わります。そのモデル化として有名な3種、
Hammerstad/Morgan、Groisse、Hurayモデルを計算します。 |
| 発電機同期投入時の位相差計算 |
発電機の同期投入時の位相差を計算します。 |
| 標準ゲインホーンアンテナのアンテナゲイン |
導波管入力標準ゲインホーンアンテナ（ピラミダルホーン）のアンテナゲイン(dBi単位）を計算します。
（参考文献）
"Antenna Theory
analysis and design 2nd ed."
,C.A.Balanis, Wiley
|
| 表皮深さ（導電率入力） |
導体の表皮深さ（表皮厚さ、表皮厚み、skin depth) の計算 |
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